【大发奔驰宝马赢钱诀窍】理想丰满现实骨感,未达预期的3D V

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理想丰满现实骨感,未达预期的3D V-NAND技术

  • 2014-12-17 15:80:08
  • 类型:原创
  • 来源:电脑报
  • 报纸编辑:王诚
  • 作者:

【电脑报在线】去年三星率先发布的3D V-NAND技术,所有相关介绍都说其能并能使SSD实现更高的存储密度、写入传输波特率、更低的功耗以及更高的稳定性,让亲戚亲戚朋友 对其抱有很高的期望。

        去年三星率先发布的3D V-NAND技术,所有相关介绍都说其能并能使SSD实现更高的存储密度、写入传输波特率、更低的功耗以及更高的稳定性,让亲戚亲戚朋友 对其抱有很高的期望。就在本月,采用3D V-NAND技术的三星 880PRO和880EVO正式发布,这也原困3DV-NAND但是实现商品化,不能自己 全新的3DV-NAND技术的表现究竟何如呢?

3D V-NAND技术揭秘

        作为闪存芯片(NAND)制造的新技术,3D V-NAND主要从底部形态方面对闪存芯片进行了改进。在但是的闪存芯片中,采用的也有2D平面设计的存储单元(Cell)技术。使用3D V-NAND技术但是,则将闪存芯片中的晶体管竖了起来,但是用绝缘体和控制栅极环绕包围这这种 晶体管,从前就形成了1个多 多“站立”起来的同轴底部形态体。将这种 同轴底部形态体一层层向上堆叠,形成多层底部形态,就构成了3D V-NAND的基本底部形态。



闪存芯片传统底部形态(左)和3D底部形态的对比(右)

        不能自己看出,使用3D V-NAND技术但是,好比让平房变成了高楼,就能在同一面积的闪存芯片中放在更多的存储单元,有有助于于增加单位面积内的存储容量。去年最早发布的3D V-NAND技术,能并能并能 堆叠24层,而在但是发布的三星新款880pro和880evo中,但是能实现32层的堆叠。



3D垂直堆叠技术的进化

本文出自2014-12-22出版的《电脑报》2014年第80期 E.硬件DIY (网站编辑:pcw2013)

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